Potężne działo dla Zderzacza Elektron-Jon (EIC) przyspiesza elektrony do 80% prędkości światła
14 października 2024, 10:06Naukowcy z Brookhaven National Laboratory zbudowali i przetestowali spolaryzowane działo elektronowe pracujące przy najwyższym napięciu ze wszystkich tego typu urządzeń. Działo jest kluczowym elementem budowanego właśnie Zderzacza Elektron-Jon (EIC). W akceleratorze zderzane będą spolaryzowane elektrony ze spolaryzowanymi protonami i jonami, co pozwoli na badanie podstawowych cegiełek materii.
GDDR4 z 4-gigahercowym zegarem
23 lutego 2007, 11:23Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Samsung pokazał układy GDDR4 taktowane zegarem o częstotliwości 4 GHz. Kości są o około 40% szybsze niż obecnie stosowane GDDR4, do pracy potrzebują jednak więcej mocy.
Penryn w drodze
25 października 2007, 10:43Dzisiaj rozpocznie się masowa produkcja pierwszych w historii procesorów wykonanych w technologii 45 nanometrów. Intelowskie Penryny będą powstawały w Fab 32, nowej fabryce w Arizonie.
Kiedy 450-milimetrowe plastry?
13 października 2008, 13:40Jak donosi EE Times, fabryki układów scalonych korzystające z 450-milimetrowych plastrów krzemowych, rzeczywiście mogą powstać, jednak nie tak szybko, jakby sobie niektórzy życzyli.
Supernowoczesne Globalfoundries
3 sierpnia 2009, 11:35Zdaniem analityka Boba Johnsona, firma Globalfoundries, która wyłoniła się z AMD i ma zajmować się produkcją układów scalonych, już teraz należy do najnowocześniejszych przedsiębiorstw tego typu.
Pierwszy nanometrowy nadprzewodnik
1 kwietnia 2010, 06:14Stworzenie nadprzewodzącego drutu o szerokości zaledwie jednego nanometra i długości czterech ogłosił prof. Saw-Wai Hla z Ohio University w Atenach. To najmniejszy istniejący w ogóle nadprzewodnik, dotychczas sądzono, że efekt nadprzewodnictwa nie jest w ogóle możliwy w tak małej skali.
TI prezentuje OMAP 5
9 lutego 2011, 12:15Texas Instruments pokazał piątą już wersję swojego SoC (system-on-chip) OMAP (open multimedia appication platform). Układ korzysta z czterech rdzeni ARM oraz wielu innych urządzeń przydatnych do budowy urządzeń przenośnych.
IMTF prezentuje 128-gigabitową pamięć NAND
7 grudnia 2011, 11:48Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu.
Bay Trail-T pomoże w walce z Atomem?
19 listopada 2012, 13:57Do sieci wyciekły obrazy, które podobno są slajdami Intela prezentującymi przyszłość procesorów Atom. Ze slajdów wynika, że przyszła generacja platformy Bay Trail-T ma składać się z czterech rdzeni procesora i GPU obsługującego DirectX 11.
Telewizory z kropkami kwantowymi
18 grudnia 2014, 10:33W przyszłym roku LG rozpocznie sprzedaż telewizorów korzystających z technologii kwantowych kropek. Technologia ta zapewnia szerszą paletę kolorów i lepsze ich nasycenie z porównaniu z tradycyjnymi wyświetlaczami LCD. Kropki kwantowe, to niewielkie kryształy o średnicy od 2 do 10 nanometrów, których kolor zależy od wielkości.
